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| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-XELF-R2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 5.25 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.2 V |
| JESD-30 代码： | O-XELF-R2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 最大输出电流： | 0.3 A | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500/578E |
| 最大重复峰值反向电压： | 75 V | 最大反向恢复时间： | 0.006 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | WRAP AROUND | 端子位置： | END |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANS1N6660CCT1 | INFINEON |
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35A 45V Hi-Rel Schottky Common Cathode Diode in a TO-254AA package DLA Number 1N6660CCT1 - |
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| JANS1N6662 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, DO-35, |
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| JANS1N6677-1 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
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| JANS1N6677UR-1 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon, DO-213AA, DO-213AA |
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| JANS1N6761-1 | CDI-DIODE |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon, DO-41, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
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| JANS1N6761UR-1 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-213AB, DO-213AA |
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| JANS1N6761UR-1 | CDI-DIODE |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon, DO-213AB, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
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| JANS1N6843CCU3 | INFINEON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 100V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, |
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| JANS1N6844U3 | INFINEON |
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SCHOTTKY RECTIFIER HIGH EFFICIENCY SERIES |
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| JANS1N6857-1 | CDI-DIODE |
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SCHOTTKY BARRIER DIODES |
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