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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | O-LALF-W2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.35 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY, METALLURGICALLY BONDED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| 最大动态阻抗： | 1800 Ω | JEDEC-95代码： | DO-35 |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 0.5 W | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500 | 标称参考电压： | 200 V |
| 子类别： | Voltage Reference Diodes | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 最大电压容差： | 5% | 工作测试电流： | 0.65 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANS1N6355C | MICROSEMI |
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Zener Diode, 200V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS, |
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| JANS1N6355D | MICROSEMI |
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Zener Diode, 200V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS, |
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| JANS1N6355DUS | MICROSEMI |
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Zener Diode, 200V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS, B, MELF |
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| JANS1N6391 | MICROSEMI |
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Military Schottky Rectifier |
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| JANS1N6462US | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, GLASS |
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| JANS1N6463US | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, GLAS |
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| JANS1N6464US | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 15V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| JANS1N6466US | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 30.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, GL |
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| JANS1N6467US | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 40.3V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| JANS1N6468US | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 51.6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, GL |
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