JAN2N5663

更新时间： 2024-09-29 23:16:43

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美高森美 - MICROSEMI		晶体小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	69K
描述
NPN POWER SILICON TRANSISTOR

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JAN2N5663 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-5
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.27
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	25
JEDEC-95代码：	TO-5	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Qualified
参考标准：	MIL-19500	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	1200 ns
最大开启时间（吨）：	250 ns	Base Number Matches：	1

JAN2N5663 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 454

Devices

Qualified Level

JAN, JANTX

JANTXV

2N5660

2N5661

2N5662

2N5663

MAXIMUM RATINGS

Ratings

2N5660 2N5661

2N5662 2N5663

Symbol

Unit

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Base Current

200

250

300

400

Vdc

Adc

V_CEO

V_CBO

V_CER

V_EBO

I_B

6.0

0.5

2.0

TO-66*

(TO-213AA)

2N5660, 2N5661

Collector Current

I_C

2N5660 2N5662

2N5661 2N5663

Total Power Dissipation

@ T_A= +25⁰C

@ T_C= +100⁰C

2.0⁽¹⁾

20⁽³⁾

1.0⁽²⁾

15⁽⁴⁾

⁰C

P_T

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +200

T_J_,T

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

2N5660

2N5661

2N5662

2N5663

Characteristics

Symbol

Unit

TO-5*

2N5662, 2N5663

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Junction-to-Ambient

qJC

⁰C/W

5.0

87.5

6.67

145.8

qJA

1) Derate linearly 11.4 mW/⁰C for T_A>+ 25⁰C

2) Derate linearly 5.7 mW/⁰C for T_A> +25⁰C

3) Derate linearly 200 mW/⁰C for T_C> +100⁰C

4) Derate linearly 150 mW/⁰C for T_C> +100⁰C

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 10 mAdc

200

300

Vdc

2N5660, 2N5662

2N5661, 2N5663

V_(BR)

CEO

Collector-Base Breakdown Voltage

250

400

Vdc

I_C= 10 mAdc, R_BE= 100W

2N5660, 2N5662

2N5661, 2N5663

V_(BR)

CER

Emitter-Base Breakdown Voltage

I_E= 10 mAdc

6.0

V_(BR)

EBO

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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JAN2N5663 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NTE2347	NTE	类似代替	Silicon NPN Transistor General Purpose, Medium Power
2SD1664T100R	ROHM	功能相似	Medium Power Transistor (32V, 1A)
2SD1898T100R	ROHM	功能相似	Power Transistor (80V, 1A)

与JAN2N5663相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JAN2N5664	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR
JAN2N5665	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR
JAN2N5666	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR
JAN2N5666S	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR
JAN2N5666U3	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR
JAN2N5667	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR
JAN2N5667S	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR
JAN2N5671	MICROSEMI	获取价格	NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N5672	MICROSEMI	获取价格	NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N5683	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON TRANSISTOR

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