5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N466 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-5 |
|
| JAN2N467 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-5 |
|
| JAN2N4854 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PAIR | COMPLEMENTARY | 40V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-226(6) |
|
| JAN2N4854U | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PAIR | COMPLEMENTARY | 40V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-226(6) |
|
| JAN2N4856 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL J-FET |
|
| JAN2N4856UB | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| JAN2N4857 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL J-FET |
|
| JAN2N4857UB | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, SU |
|
| JAN2N4858 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL J-FET |
|
| JAN2N4858UB | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, SU |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
