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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BCY |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.27 |
| 外壳连接： | GATE | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏源导通电阻： | 40 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 8 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-206AA | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.36 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/385 | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N4861 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL J-FET |
|
| JAN2N4861UB | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, SU |
|
| JAN2N4930 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, |
|
| JAN2N4930U4 | MICROSEMI |
获取价格 |
Transistor |
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| JAN2N4931U4 | MICROSEMI |
获取价格 |
Transistor |
|
| JAN2N4957 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-72 |
|
| JAN2N4957UB | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 30MA I(C) | LLCC |
|
| JAN2N5002 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-210AA |
|
| JAN2N5003 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-210AA |
|
| JAN2N5004 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-210AA |
|
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