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JAN1N6629U

更新时间: 2024-09-15 13:02:27
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美高森美 - MICROSEMI 整流二极管超快速恢复能力电源超快恢复二极管快速恢复二极管
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2页 104K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon,

JAN1N6629U 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:MELF
包装说明:O-LELF-R2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.34
应用:ULTRA FAST RECOVERY POWER外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-LELF-R2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:75 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最大输出电流:3 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
参考标准:MIL-19500/590F最大反向恢复时间:0.05 µs
表面贴装:YES端子面层:TIN LEAD
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
Base Number Matches:1

JAN1N6629U 数据手册

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