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JAN1N6629US

更新时间: 2024-11-05 22:57:27
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美高森美 - MICROSEMI 整流二极管超快速恢复能力电源超快恢复二极管快速恢复二极管
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2页 104K
描述
ULTRA FAST RECTIFIERS

JAN1N6629US 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete包装说明:O-LELF-R2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.77Is Samacsys:N
其他特性:METALLURGICALLY BONDED应用:ULTRA FAST RECOVERY POWER
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-LELF-R2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:75 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最大输出电流:3 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Qualified
参考标准:MIL-19500/590F最大反向恢复时间:0.05 µs
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

JAN1N6629US 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN1N6630 MICROSEMI

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JAN1N6630 SENSITRON

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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.4A, 900V V(RRM), Silicon, HERMETIC, 306, 2 PIN
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DESCRIPTION: 900 VOLT, 2.8 AMP, 50 NS HERMETIC RECTIFIER IN A MELF-B PACKAGE.
JAN1N6630US MICROSEMI

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ULTRA FAST RECTIFIERS
JAN1N6630US SENSITRON

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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.4A, 1000V V(RRM), Silicon, HERMETIC, 306, 2 PIN
JAN1N6631U SENSITRON

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DESCRIPTION: 1000 VOLT, 2.8 AMP, 60 NS HERMETIC RECTIFIER IN A MELF-B PACKAGE.
JAN1N6631US MICROSEMI

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ULTRA FAST RECTIFIERS
JAN1N6631US SENSITRON

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DESCRIPTION: 1000 VOLT, 2.8 AMP, 60 NS HERMETIC RECTIFIER IN A MELF-B PACKAGE.