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JAN1N6136A

更新时间: 2024-09-16 11:20:59
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管局域网
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2页 110K
描述
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

JAN1N6136A 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active包装说明:O-XALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.44Is Samacsys:N
最小击穿电压:171 V外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-XALF-W2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值反向功率耗散:500 W
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:BIDIRECTIONAL最大功率耗散:3 W
认证状态:Qualified表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

JAN1N6136A 数据手册

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JAN1N6136A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N6136A MICROSEMI

完全替代

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 136.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, H
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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 152V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, MEL