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JAN1N6137

更新时间: 2024-09-16 11:20:59
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管局域网
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2页 110K
描述
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

JAN1N6137 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:O-XALF-W2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.41
最小击穿电压:180.5 V外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-XALF-W2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值反向功率耗散:500 W
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:BIDIRECTIONAL最大功率耗散:3 W
认证状态:Qualified表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

JAN1N6137 数据手册

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