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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.68 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大输出电流： | 0.2 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 最大功率耗散： | 0.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 200 V | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N5195UR | CDI-DIODE |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-213AA, GLASS PACKAGE-2 |
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| JAN1N5195UR | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-213AA, GLASS PACKAGE-2 |
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| JAN1N5195UR-1 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-213AA, |
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| JAN1N5195US | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), |
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| JAN1N5195X | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, |
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| JAN1N5196 | CDI-DIODE |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35, GLASS PACKAGE-2 |
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| JAN1N5196 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, GLASS PACKAGE-2 |
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| JAN1N5196-1 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35, |
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| JAN1N5196UR | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-213AA, GLASS PACKAGE-2 |
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| JAN1N5196UR | CDI-DIODE |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-213AA, GLASS PACKAGE-2 |
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