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JAN1N5195UR PDF预览

JAN1N5195UR

更新时间： 2024-11-15 14:51:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 42K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-213AA, GLASS PACKAGE-2

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JAN1N5195UR 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-213AA
包装说明：GLASS PACKAGE-2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.3
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-213AA
JESD-30 代码：O-LELF-R2JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Qualified参考标准：MIL-19500/118F
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WRAP AROUND端子位置：END
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

JAN1N5195UR 数据手册

 浏览型号JAN1N5195UR的Datasheet PDF文件第2页 
1N5194UR  
1N5195UR  
1N5196UR  
CDLL5194  
CDLL5195  
CDLL5196  
• AVAILABLE IN JAN, JANTX AND JANTXV  
PER MIL-PRF-19500/118  
• GENERAL PURPOSE SILICON DIODES  
• METALLURGICALLY BONDED  
MAXIMUM RATINGS  
Operating Temperature: -65°C to +175°C  
Storage Temperature: -65°C to +175°C  
Operating Current: 200 mA  
Derating: 1.2mA/°C from 25ºC to 150ºC  
1.0mA/°C from 150ºC to 175ºC  
Forward Current: 650mA  
MILLIMETERS  
INCHES  
DIM MIN MAX MIN MAX  
D
F
1.60  
0.41  
3.30  
1.70 0.063 0.067  
0.55 0.016 0.022  
3.70 .130 .146  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise specified  
G
G1  
S
2.54 REF.  
0.03 MIN.  
.100 REF.  
.001 MIN.  
V
V
I
I
I
FSM  
RM  
RWM  
O
O
TYPE  
T
= +150°C  
T
=1/120 S  
=25ºC  
A
P
T
A
V
V
mA  
mA  
A
(pk)  
(pk)  
FIGURE 1  
CDLL, 1N5194UR  
CDLL, 1N5195UR  
CDLL, 1N5196UR  
80  
180  
250  
70  
180  
225  
200  
200  
200  
50  
50  
50  
2
2
2
DESIGN DATA  
CASE: DO-213AA, Hermetically sealed  
glass case. (MELF, SOD-80, LL34)  
V
F
@100mA  
I
at V  
I
at V  
I
at V  
R1  
RWM  
R2  
T
RM  
R3  
T
RWM  
TYPE  
=25ºC  
= 150°C  
A
A
LEAD FINISH: Tin / Lead  
V dc  
nA dc  
µA  
µA dc  
CDLL, 1N5194UR  
CDLL, 1N5195UR  
CDLL, 1N5196UR  
0.8 - 1.0  
0.8 - 1.0  
0.8 - 1.0  
25  
25  
25  
100  
100  
100  
5
5
5
THERMAL RESISTANCE: (R  
100 °C/W maximum  
):  
OJEC  
THERMAL IMPEDANCE: (Z  
°C/W maximum  
): 70  
OJX  
POLARITY: Cathode end is banded.  
MOUNTING POSITION: Any.  
MOUNTING SURFACE SELECTION:  
The Axial Coefficient of Expansion  
(COE) Of this Device is Approximately  
+6PPM/°C. The COE of the Mounting  
Surface System Should Be Selected To  
Provide A Suitable Match With This  
Device.  
6 LAKE STREET, LAWRENCE, MASSACHUSETTS 01841  
PHONE (978) 620-2600  
FAX (781) 689-0803  
WEBSITE: http://www.microsemi.com  
137  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN1N5195UR-1 MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-213AA,
JAN1N5283 MOTOROLA

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 		Current Regulator Diode, 0.22mA I(S), 1V V(L), Silicon, DO-204AA

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