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IXTA20N65X

更新时间: 2024-02-09 21:16:32
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页数 文件大小 规格书
6页 241K
描述
Power Field-Effect Transistor,

IXTA20N65X 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:compliant
风险等级:8.32Base Number Matches:1

IXTA20N65X 数据手册

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IXTA20N65X IXTP20N65X  
IXTH20N65X  
Fig. 13. Output Capacitance Stored Energy  
Fig. 14. Forward-Bias Safe Operating Area  
100  
10  
16  
14  
12  
10  
8
R
DS(on)  
Limit  
25µs  
100µs  
1
1ms  
6
10ms  
100ms  
4
0.1  
0.01  
T = 150ºC  
J
DC  
T
C
= 25ºC  
2
Single Pulse  
0
0
100  
200  
300  
400  
500  
600  
10  
100  
1,000  
VDS - Volts  
VDS - Volts  
Fig. 15. Maximum Transient Thermal Impedance  
1
0.1  
0.01  
0.001  
0.00001  
0.0001  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
Pulse Width - Seconds  
© 2015 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
IXYS REF: T_20N65X(J4) 6-17-15-A  

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