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IXTA20N65X

更新时间： 2024-02-24 19:17:21

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6页	241K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTA20N65X 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	8.32	Base Number Matches：	1

IXTA20N65X 数据手册

IXTA20N65X IXTP20N65X

IXTH20N65X

Fig. 7. Maximum Drain Current vs.

Case Temperature

Fig. 8. Input Admittance

= 125ºC

25ºC

- 40ºC

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

5.5

6.0

6.5

7.0

7.5

8.0

8.5

-50

-25

100

125

150

T_C- Degrees Centigrade

V_GS- Volts

Fig. 9. Transconductance

Fig. 10. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode

= - 40ºC

25ºC

125ºC

= 125ºC

= 25ºC

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

I_D- Amperes

V_SD- Volts

Fig. 12. Capacitance

Fig. 11. Gate Charge

10,000

1,000

100

= 325V

= 10A

iss

= 10mA

oss

rss

= 1 MHz

100

1000

V_DS- Volts

Q_G- NanoCoulombs

IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

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