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IXKH35N60C5 PDF预览

IXKH35N60C5

更新时间： 2024-02-12 02:51:44
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 109K
描述
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 600V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN

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IXKH35N60C5 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-247AD
包装说明：TO-247AD, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：8.57
Samacsys Description：MOSFET 35 Amps 600V其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：800 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：35 A最大漏极电流 (ID)：35 A
最大漏源导通电阻：0.1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247ADJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IXKH35N60C5 数据手册

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IXKH 35N60C5  
160  
120  
80  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0.3  
0.25  
0.2  
TJV = 150°C  
ID = 18 A  
VGS = 10 V  
VDS > 2·RDS(on) max · ID  
5.5 V  
25 °C  
6 V  
6.5 V  
7 V  
5 V  
=
VDS  
20 V  
0.15  
0.1  
98 %  
50 °C  
TJ =  
typ  
40  
0.05  
0
0
0
0
10  
20  
30  
40  
50  
-60  
-20  
20  
60  
j [°C]  
100  
140  
180  
0
2
4
6
8
10  
I D [A]  
T
V
[V]  
GS  
Fig. 4 Typ. drain-source on-state  
Fig. 5 Drain-source on-state resistance  
Fig. 6 Typ. transfer characteristics  
resistance characteristics of IGBT  
10 2  
10 1  
10 0  
10 -1  
10 5  
10 4  
10 3  
10 2  
10 1  
10 0  
12  
10  
8
25 °C, 98%  
ID = 18 A pulsed  
VGS = 0 V  
f = 1 MHz  
150 °C, 98%  
25 °C  
VDS = 120 V  
TJ =150 °C  
Ciss  
1 20 V  
40 0V  
6
Coss  
4
2
Crss  
0
0
0.5  
1
1.5  
2
0
50  
100  
[V]  
150  
200  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
Q
gate [nC]  
V
[V]  
V
SD  
DS  
Fig. 7 Forward characteristic  
of reverse diode  
Fig. 8 Typ. gate charge  
Fig. 9 Typ. capacitances  
10 0  
1000  
750  
500  
250  
0
700  
ID = 11 A  
ID = 0.25 mA  
0.5  
0.2  
660  
620  
580  
540  
10 -1  
0.1  
D = tp/T  
0.05  
0.02  
10 -2 0.01  
single pulse  
10 -3  
10 -6  
10 -5  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 -1  
10 0  
20  
60  
100  
140  
180  
-60  
-20  
20  
60  
100  
140  
180  
t p [s]  
T
j [°C]  
T
j [°C]  
Fig. 10 Avalanche energy  
Fig. 11 Drain-source breakdown voltage  
Fig. 12 Max. transient thermal  
impedance  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2009 IXYS All rights reserved  
20090209c  
4 - 4  
1234

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