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IXKH35N60C5

更新时间： 2024-02-19 09:08:53

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	109K
描述
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 600V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN

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IXKH35N60C5 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	TO-247AD, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	8.57
Samacsys Description：	MOSFET 35 Amps 600V	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	800 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	35 A	最大漏极电流 (ID)：	35 A
最大漏源导通电阻：	0.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXKH35N60C5 数据手册

IXKH 35N60C5

Source-Drain Diode

Symbol

Conditions

Characteristic Values

(T_VJ= 25°C, unless otherwise speciﬁed)

min. typ. max.

I_S

V_GS= 0 V

V_SD

I_F= 18 A; V_GS= 0 V

0.9

1.2

t_rr

Q_RM

I_RM

450

µC

I_F= 18 A; -di_F/dt = 100 A/µs; V_R= 400 V

Component

Symbol

Conditions

Maximum Ratings

T_VJ

T_stg

operating

-55...+150

°C

M_d

mounting torque

0.8 ... 1.2

Symbol

Conditions

Characteristic Values

min. typ. max.

R_thCH

with heatsink compound

0.25

K/W

Weight

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

20090209c

2 - 4

123 4

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