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IXKH30N60C5

更新时间： 2024-02-09 19:40:15

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4页	112K
描述
CoolMOS Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Low Rdson, High Vdss MOSFET

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IXKH30N60C5 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
Base Number Matches：	1

IXKH30N60C5 数据手册

IXKH 30N60C5

Source-Drain Diode

Symbol

Conditions

Characteristic Values

(T_VJ= 25°C, unless otherwise speciﬁed)

min. typ. max.

I_S

V_GS= 0 V

V_SD

I_F= 16 A; V_GS= 0 V

0.9

1.2

t_rr

Q_RM

I_RM

430

µC

I_F= 16 A; -di_F/dt = 100 A/µs; V_R= 400 V

Component

Symbol

Conditions

Maximum Ratings

T_VJ

T_stg

operating

-55...+150

°C

M_d

mounting torque

0.8 ... 1.2

Symbol

Conditions

Characteristic Values

min. typ. max.

R_thCH

with heatsink compound

0.25

K/W

Weight

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

20090209d

2 - 4

123 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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