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IXFP72N30X3

更新时间： 2024-03-25 22:02:01

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力特 - LITTELFUSE		开关栅栅极
页数	文件大小	规格书
7页	310K
描述
超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘以栅极电荷），最大限度地降低传导和开关损耗。该系列产品表现出业内最低的导通电阻。凭借较低的反向恢复电荷

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IXFP72N30X3 数据手册

IXFP72N30X3 IXFQ72N30X3

IXFH72N30X3

Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T_J= 25^oC

Fig. 1. Output Characteristics @ T_J= 25^oC

300

250

200

150

100

= 10V

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

1.6

V_DS- Volts

Fig. 4. R_DS(on)Normalized to I_D= 36A Value vs.

Junction Temperature

Fig. 3. Output Characteristics @ T_J= 125^oC

3.0

2.6

2.2

1.8

1.4

1.0

0.6

0.2

= 10V

= 72A

= 36A

-50

-25

100

125

150

0.5

1.5

2.5

T_J- Degrees Centigrade

V_DS- Volts

Fig. 5. R_DS(on)Normalized to I_D= 36A Value vs.

Drain Current

Fig. 6. Normalized Breakdown & Threshold Voltages

vs. Junction Temperature

4.5

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

= 10V

DSS

= 125^oC

= 25^oC

GS(th)

100

150

200

250

-60

-40

-20

100

120

140

160

T_J- Degrees Centigrade

I_D- Amperes

1 234 5 6 7

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