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IXFK90N30

更新时间： 2023-12-06 20:13:07

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力特 - LITTELFUSE		/
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IXFK90N30 数据手册

IXFK 90N30

IXFX 90N30

f = 100kHz

Ciss

V_DS= 150 V

I_D= 45 A

I_G= 10 mA

Coss

Crss

0.5

10 15 20 25 30 35 40

100

150

200

250

300

V_DS- Volts

Gate Charge - nC

Fig.7GateChargeCharacteristicCurve

Fig.8 Capacitance Curves

200

160

120

T_J= 125^OC

T_J= 25^OC

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

V_SD- Volts

Fig.9DrainCurrentvsDraintoSourceVoltage

1.000

0.100

0.010

0.001

10^-4

10^-3

10^-2

10^-1

10⁰

10¹

Pulse Width - Seconds

Fig.10TransientThermalImpedance

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

IXYSMOSFETSandIGBTsarecoveredbyoneormoreofthefollowingU.S.patents:

4,835,592

4,850,072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,486,715 6,306,728B1

5,381,025

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