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IXFH44N50P

更新时间： 2024-03-25 22:01:57

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力特 - LITTELFUSE		/
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IXFH44N50P 数据手册

IXFT44N50P IXFH44N50P

IXFK44N50P

Fig. 8. Transconductance

Fig. 7. Input Admittance

= - 40ºC

25ºC

125ºC

= 125ºC

25ºC

- 40ºC

3.5

4.5

5.5

6.5

V_GS- Volts

I_D- Amperes

Fig. 9. Forward Voltage Drop of

Intrinsic Diode

Fig. 10. Gate Charge

140

120

100

= 250V

= 22A

= 10mA

= 125ºC

= 25ºC

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.1

1.2

100

V_SD- Volts

Q_G- NanoCoulombs

Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area

Fig. 11. Capacitance

1,000

100

10,000

1,000

100

T = 150ºC

= 25ºC

iss

DS(on)

Limit

25µs

oss

100µs

1ms

10ms

rss

f = 1 MHz

100

1000

V_DS- Volts

IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

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