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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ITE40F06 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247AA |
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| ITE4391 | INTERSIL |
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N-CHANNEL JFET |
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| ITE4392 | INTERSIL |
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N-CHANNEL JFET |
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| ITE4393 | INTERSIL |
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N-CHANNEL JFET |
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| ITE4416 | INTERSIL |
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N-CHANNEL JFET |
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| ITE60C06 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-218AA |
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| ITE60F06 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247AA |
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| IT-F2-2048 | ETC |
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AREA CCD IMAGE ARRAY |
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| ITF40PF1200DHGTLB | LITTELFUSE |
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模块内置快速短路额定沟槽IGBT和快速切换SONIC续流二极管，具有高换向耐用性，采用相臂 |
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| ITF48IF1200HR | LITTELFUSE |
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这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺流程，具有低热 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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