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ITF86130SK8T

更新时间： 2024-11-23 22:08:19
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 173K
描述
14A, 30V, 0.0078 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFET

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ITF86130SK8T 数据手册

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ITF86130SK8T  
TM  
Data Sheet  
June 2000  
File Number 4798.4  
14A, 30V, 0.0078 Ohm, N-Channel, Logic  
Level, Power MOSFET  
Features  
• Ultra Low On-Resistance  
- r  
- r  
- r  
= 0.0078Ω, VGS = 10V  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
Packaging  
= 0.010Ω, VGS = 4.5V  
= 0.012Ω, VGS = 4.0V  
SO8 (JEDEC MS-012AA)  
BRANDING DASH  
• Gate to Source Protection Diode  
• Simulation Models  
- Temperature Compensated PSPICE™ and SABER  
Electrical Models  
5
1
2
3
4
- Spice and SABER Thermal Impedance Models  
- www.intersil.com  
• Peak Current vs Pulse Width Curve  
• Transient Thermal Impedance Curve vs Board Mounting  
Area  
Symbol  
• Switching Time vs R  
GS  
Curves  
SOURCE(1)  
SOURCE(2)  
DRAIN(8)  
DRAIN(7)  
Ordering Information  
PART NUMBER  
PACKAGE  
BRAND  
ITF86130SK8T  
SO8  
86130  
SOURCE(3)  
GATE(4)  
DRAIN(6)  
DRAIN(5)  
NOTE: When ordering, use the entire part number. ITF86130SK8T  
is available only in tape and reel.  
o
Absolute Maximum Ratings T = 25 C, Unless Otherwise Specified  
A
ITF86130SK8T  
UNITS  
Drain to Source Voltage (Note 1). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
30  
30  
V
V
V
DSS  
Drain to Gate Voltage (R  
GS  
= 20kΩ) (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
DGR  
Gate to Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
±20  
GS  
Drain Current  
o
Continuous (T = 25 C, V  
= 10V) (Figure 2) (Note 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
= 4.5V) (Note 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
14.0  
12.0  
7.0  
7.0  
Figure 4  
A
A
A
A
A
A
GS  
D
D
o
Continuous (T = 25 C, V  
A
GS  
o
Continuous (T = 100 C, V  
= 4.5V) (Note 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
= 4.0V) (Note 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
A
GS  
D
o
Continuous (T = 100 C, V  
A
GS  
D
Pulsed Drain Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .I  
DM  
Power Dissipation (Note 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P  
Derate Above 25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
2.5  
20  
W
mW/ C  
D
o
o
o
Operating and Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T , T  
J
-55 to 150  
C
STG  
Maximum Temperature for Soldering  
Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .T  
Package Body for 10s, See Tech brief TB370 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T  
o
300  
260  
C
C
L
o
pkg  
NOTES:  
o
o
1. T = 25 C to 125 C.  
J
o
2
2
2. 50 C/W measured using FR-4 board with 0.76in (490.3mm ) copper pad at 10s.  
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the  
device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.  
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper ESD Handling Procedures.  
1
PSPICE® is a registered trademark of MicroSim Corporation.  
1-888-INTERSIL or 321-724-7143 | Intersil and Design is a trademark of Intersil Corporation. | Copyright © Intersil Corporation 2000  
1234567...11

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与ITF86130SK8T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ITF86172SK8T INTERSIL

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 		10A, 30V, 0.016 Ohm, P-Channel, Logic Level, Power MOSFET
ITF86174SQT INTERSIL

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 		9A, 30V, 0.016 Ohm, P-Channel, Logic Level, Power MOSFET
ITF86182SK8T INTERSIL

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 		11A, 30V, 0.0115 Ohm, P-Channel, Logic Level, Power MOSFET
ITF87008DQT INTERSIL

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 		7.0A, 20V, 0.023 Ohm, Dual N-Channel, 2.5V Specified Power MOSFET
ITF87008DQT2 FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Silicon, MO-153AA, PLASTIC, TSSOP-8
ITF87012SVT INTERSIL

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 		6A, 20V, 0.035 Ohm, N-Channel, 2.5V Specified Power MOSFET
ITF87012SVT1 FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
ITF87052SVT INTERSIL

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 		3A, 20V, 0.115 Ohm, P-Channel, 2.5V Specified Power MOSFET
ITF87052VT RENESAS

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 		ITF87052VT
ITF87056DQT INTERSIL

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 		5A, 20V, 0.045 Ohm, Dual P-Channel, 2.5V Specified Power MOSFET

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