IS93C56A-2GRLI

更新时间： 2024-01-21 11:22:28

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美国芯成 - ISSI		存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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描述
2K-BIT/4K-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM

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IS93C56A-2GRLI 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSSOP	包装说明：	TSSOP, TSSOP8,.25
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.83	备用内存宽度：	8
最大时钟频率 (fCLK)：	1 MHz	数据保留时间-最小值：	40
耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	长度：	4.4 mm
内存密度：	2048 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	128 words	字数代码：	128
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128X16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP8,.25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	2/5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
串行总线类型：	MICROWIRE	最大待机电流：	0.000001 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	3 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms	写保护：	SOFTWARE
Base Number Matches：	1

IS93C56A

IS93C66A

ISSI

AC WAVEFORMS

FIGURE 2. SYNCHRONOUS DATA TIMING

tCSS

tSKH

tSKL

tCSH

tDIS

tDIH

DIN

tPD0

tPD1

tDF

DOUT

(READ)

tSV

DOUT

(WRITE)

(WRALL)

(ERASE)

(ERAL)

STATUS VALID

FIGURE 3. READ CYCLE TIMING

tCS

OUT

*Address Pointer Cycles to the Next Register

Notes:

To determine address bits An-A0 and data bits Dm-Do, see Instruction Set for the specific device.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774

Rev. A

05/02/06

1...6 7 8910 11 12...16

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IS93C56A-2PI	ISSI	2K-BIT/4K-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM	获取价格
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