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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP8,.3 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.56 |
| Is Samacsys： | N | 备用内存宽度： | 8 |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 3 MHz | 数据保留时间-最小值： | 40 |
| 耐久性： | 1000000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码： | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 9.3218 mm |
| 内存密度： | 4096 bit | 内存集成电路类型： | EEPROM |
| 内存宽度： | 16 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 字数： | 256 words | 字数代码： | 256 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 256X16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP8,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 4.57 mm |
| 串行总线类型： | MICROWIRE | 最大待机电流： | 0.000004 A |
| 子类别： | EEPROMs | 最大压摆率： | 0.002 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | AUTOMOTIVE |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 7.62 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC)： | 5 ms | 写保护： | SOFTWARE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IS93C66-3 | ISSI | 4,096-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM |
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| IS93C66-3G | ISSI | 4,096-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM |
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| IS93C66-3GI | ISSI | 4,096-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM |
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| IS93C66-3GR | ISSI | 4,096-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM |
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| IS93C66-3GRI | ISSI | 4,096-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM |
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| IS93C66-3P | ISSI | 4,096-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM |
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