是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | End Of Life | 零件包装代码: | SOJ |
包装说明: | SOJ, SOJ32,.44 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.B |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 6.51 |
最长访问时间: | 8 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-J32 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 20.95 mm | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 128KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOJ |
封装等效代码: | SOJ32,.44 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.75 mm |
最大待机电流: | 0.01 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.16 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IS63LV1024-8KI | ISSI |
类似代替 |
128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS63LV1024-8KL-TR | ISSI |
获取价格 |
SRAM | |
IS63LV1024-8K-TR | ISSI |
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暂无描述 | |
IS63LV1024-8T | ISSI |
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128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT | |
IS63LV1024-8T | ICSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 8ns, CMOS, PDSO32, | |
IS63LV1024-8TI | ISSI |
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128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT | |
IS63LV1024-8TI | ICSI |
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Standard SRAM, 128KX8, 8ns, CMOS, PDSO32, | |
IS63LV1024-J | ATMEL |
获取价格 |
Supports the ATmega2560, ATmega1280 and ATmega640 | |
IS63LV1024-K | ATMEL |
获取价格 |
Supports the ATmega2560, ATmega1280 and ATmega640 | |
IS63LV1024L | ISSI |
获取价格 |
128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT | |
IS63LV1024L-10B | ISSI |
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128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT |