Datasheet > 存储 > SRAM> IS62WV5128BLL-70H

IS62WV5128BLL-70H

更新时间： 2024-11-18 04:44:47

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美国芯成 - ISSI		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
14页	85K
描述
512K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

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IS62WV5128BLL-70H 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP1
包装说明：	STSOP1-32	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.73
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	70 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
JESD-609代码：	e0	长度：	11.8 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装等效代码：	TSSOP32,.56,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.000015 A	最小待机电流：	1.2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

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IS62WV5128ALL

IS62WV5128BLL

ISSI

512K x 8 LOW VOLTAGE,

ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

APRIL2003

FEATURES

DESCRIPTION

The ISSI IS62WV5128ALL / IS62WV5128BLL are high-

speed, 4M bit static RAMs organized as 512K words by 8

bits. It is fabricated using ISSI's high-performance CMOS

technology. This highly reliable process coupled with

innovative circuit design techniques, yields high-

performance and low power consumption devices.

• High-speed access time: 55ns, 70ns

• CMOS low power operation

36 mW (typical) operating

9 µW (typical) CMOS standby

• TTL compatible interface levels

• Single power supply

When CS1 is HIGH (deselected) the device assumes a

standby mode at which the power dissipation can be

reduced down with CMOS input levels.

1.65V – 2.2V V^DD(IS62WV5128ALL)

2.5V – 3.6V V^DD(IS62WV5128BLL)

Easy memory expansion is provided by using Chip Enable

and Output Enable inputs. The active LOW Write Enable

(WE) controls both writing and reading of the memory.

• Fully static operation: no clock or refresh

required

TheIS62WV5128ALLandIS62WV5128BLLarepackaged

in the JEDEC standard 32-pin TSOP (TYPE I), 32-pin

sTSOP (TYPE I), and 32-pin TSOP (Type II).

• Three state outputs

• Industrial temperature available

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

512K x 8

MEMORY ARRAY

A0-A18

DECODER

GND

I/O

DATA

CIRCUIT

COLUMN I/O

I/O0-I/O7

CS1

CONTROL

CIRCUIT

without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to

obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774

Rev. A

04/30/03

12 3 4 5 6 7...14

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