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IS62LV12816L-120TI PDF预览

IS62LV12816L-120TI

更新时间： 2024-01-06 00:58:45
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 87K
描述
128K x 16 CMOS STATIC RAM

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IS62LV12816L-120TI 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：PLASTIC, TSOP2-44针数：44
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.91
Is Samacsys：N最长访问时间：120 ns
其他特性：BYTE READ/WRITEI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G44JESD-609代码：e0
长度：18.41 mm内存密度：2097152 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：44字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128KX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装等效代码：TSOP44,.46,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.000015 A最小待机电流：1 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.3 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

IS62LV12816L-120TI 数据手册

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®
ISSI  
IS62LV12816L  
OPERATING RANGE  
Range  
Ambient Temperature  
VCC  
Commercial  
Industrial  
0°C to +70°C  
3.0V ± 10%  
3.0V ± 10%  
–40°C to +85°C  
1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(1)  
2
Symbol  
VTERM  
TBIAS  
VCC  
Parameter  
Value  
–0.5 to Vcc+0.5  
–40 to +85  
–0.3 to +4.0  
–65 to +150  
1.0  
Unit  
V
Terminal Voltage with Respect to GND  
Temperature Under Bias  
Vcc Related to GND  
°C  
V
3
TSTG  
Storage Temperature  
°C  
W
PT  
Power Dissipation  
Note:  
1. Stress greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may cause permanent damage to the  
device. This is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions above  
those indicated in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum  
rating conditions for extended periods may affect reliability.  
4
5
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Over Operating Range)  
Symbol Parameter  
Test Conditions  
Min.  
2.0  
—
Max.  
Unit  
V
6
VOH  
VOL  
VIH  
Output HIGH Voltage  
VCC = Min., IOH = –1 mA  
VCC = Min., IOL = 2.1 mA  
—
Output LOW Voltage  
Input HIGH Voltage  
Input LOW Voltage  
Input Leakage  
0.4  
V
2.2  
–0.2  
–1  
VCC + 0.2  
V
7
(1)  
VIL  
ILI  
0.4  
1
V
GND ≤ VIN ≤ VCC  
µA  
µA  
ILO  
Output Leakage  
GND ≤ VOUT ≤ VCC, Outputs Disabled  
–1  
1
8
Notes:  
1. VIL (min.) = –2.0V for pulse width less than 10 ns.  
9
POWER SUPPLY CHARACTERISTICS(1) (Over Operating Range)  
-70  
-100  
-120  
Min. Max.  
Symbol Parameter  
Test Conditions  
CC = Max.,  
OUT = 0 mA, f = fMAX  
Min. Max.  
Min. Max.  
Unit  
10  
11  
12  
I
CC  
Vcc Dynamic Operating  
Supply Current  
V
I
Com.  
Ind.  
—
—
40  
60  
—
—
30  
50  
—
—
20  
40  
mA  
I
SB1  
TTL Standby Current  
(TTL Inputs)  
VCC = Max.,  
Com.  
Ind.  
—
—
0.4  
1.0  
—
—
0.4  
1.0  
—
—
0.4  
1.0  
mA  
VIN = VIH or VIL  
CE ≥ VIH , f = 0  
I
SB2  
CMOS Standby  
VCC = Max.,  
Com.  
Ind.  
—
—
15  
25  
—
—
15  
25  
—
—
15  
25  
µA  
Current (CMOS Inputs) CE ≥ VCC – 0.2V,  
V
V
IN ≥ VCC – 0.2V, or  
IN ≤ 0.2V, f = 0  
Note:  
1. At f = fMAX, address and data inputs are cycling at the maximum frequency, f = 0 means no input lines change.  
Integrated Silicon Solution, Inc.  
ADVANCE INFORMATION SR002-0C  
3
08/20/98  
1234567...9

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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