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IS62LV12816L-100TI PDF预览

IS62LV12816L-100TI

更新时间： 2024-01-30 23:34:46
品牌 Logo 应用领域
矽成 - ICSI 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 463K
描述
128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

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IS62LV12816L-100TI 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2-44针数：44
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.91
最长访问时间：100 ns其他特性：CONFIGURABLE AS 128K X 16
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G44
JESD-609代码：e0长度：18.41 mm
内存密度：2097152 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：44字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：256KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装等效代码：TSOP44,.46,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：240电源：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.000025 A最小待机电流：1.5 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.3 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

IS62LV12816L-100TI 数据手册

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IS62LV12816L  
IS62LV12816LL  
IS62LV12816LL POWER SUPPLY CHARACTERISTICS(1) (Over Operating Range)  
-55  
-70  
-100  
Symbol Parameter  
Test Conditions  
Min. Max.  
Min. Max.  
Min. Max.  
Unit  
ICC  
Vcc Dynamic Operating  
VCC = Max.,  
Com.  
Ind.  
—
—
40  
45  
—
—
30  
35  
—
—
20  
25  
mA  
Supply Current  
IOUT = 0 mA, f = fMAX  
ISB1  
TTL Standby Current  
(TTL Inputs)  
VCC = Max.,  
Com.  
Ind.  
—
—
0.4  
1.0  
—
—
0.4  
1.0  
—
—
0.4  
1.0  
mA  
VIN = VIH or VIL,  
CE  
≥
VIH, f = 0  
OR  
ULB Control  
VCC = Max., VIN = VIH or VIL  
CE VIL, f = 0, UB VIH, LB  
=
=
=
VIH  
ISB2  
CMOS Standby  
VCC = Max., f = 0  
Com.  
Ind.  
—
—
10  
15  
—
—
10  
15  
—
—
10  
15  
µA  
Current (CMOS Inputs)  
CE  
VIN  
VIN  
≥
≥
≤
VCC – 0.2V,  
VCC – 0.2V, or  
0.2V, f = 0  
OR  
ULB Control  
VCC = Max., CE  
=
VIL  
VIN  
≤
0.2V, f = 0, UB / LB  
=
VCC – 0.2V  
Note:  
1. At f = fMAX, address and data inputs are cycling at the maximum frequency, f = 0 means no input lines change.  
READ CYCLE SWITCHING CHARACTERISTICS(1) (Over Operating Range)  
-55  
-70  
-100  
Min.  
Symbol Parameter  
Min.  
55  
—
10  
—
—
—
5
Max.  
—
Min.  
70  
—
10  
—
—
—
5
Max.  
—
Max.  
—
Unit  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
tRC  
Read Cycle Time  
100  
—
15  
—
—
—
5
tAA  
Address Access Time  
Output Hold Time  
55  
—
70  
—
100  
—
tOHA  
tACE  
tDOE  
tHZOE  
CE Access Time  
55  
30  
20  
—
70  
35  
25  
—
100  
50  
OE Access Time  
(2)  
OE to High-Z Output  
OE to Low-Z Output  
CE to High-Z Output  
CE to Low-Z Output  
LB, UB Access Time  
LB, UB o High-Z Output  
LB. UB to Low-Z Output  
30  
(2)  
tLZOE  
—
(2)  
tHZCE  
0
20  
—
0
25  
—
0
30  
(2)  
tLZCE  
tBA  
10  
—
0
10  
—
0
10  
—
0
—
55  
25  
—
70  
25  
—
100  
35  
tHZB  
tLZB  
0
0
0
—
Notes:  
1. Test conditions assume signal transition times of 5 ns or less, timing reference levels of 1.3V, input pulse levels  
of 0.4V to 2.2V and output loading specified in Figure 1.  
2. Tested with the load in Figure 2. Transition is measured ±500 mV from steady-state voltage. Not 100% tested.  
Integrated Circuit Solution Inc.  
SR020-0C  
5
12345678...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IS62LV12816L-10TI ISSI

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 		Standard SRAM, 128KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
IS62LV12816L-120B ISSI

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