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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP2 |
| 包装说明： | TSOP2-44 | 针数： | 44 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.91 |
| 最长访问时间： | 100 ns | 其他特性： | CONFIGURABLE AS 128K X 16 |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 18.41 mm |
| 内存密度： | 2097152 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 44 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 256KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP2 |
| 封装等效代码： | TSOP44,.46,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 电源： | 3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大待机电流： | 0.000025 A | 最小待机电流： | 1.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.04 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IS62LV12816L-10TI | ISSI |
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Standard SRAM, 128KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 |
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| IS62LV12816L-120B | ISSI |
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128K x 16 CMOS STATIC RAM |
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| IS62LV12816L-120BI | ISSI |
获取价格 |
128K x 16 CMOS STATIC RAM |
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| IS62LV12816L-120T | ISSI |
获取价格 |
128K x 16 CMOS STATIC RAM |
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| IS62LV12816L-120TI | ISSI |
获取价格 |
128K x 16 CMOS STATIC RAM |
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| IS62LV12816L-55B | ICSI |
获取价格 |
128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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| IS62LV12816L-55B | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, MINI, BGA-48 |
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| IS62LV12816L-55BI | ICSI |
获取价格 |
128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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| IS62LV12816L-55BI | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, MINI, BGA-48 |
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| IS62LV12816L-55T | ICSI |
获取价格 |
128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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