5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IS62LV12816L-100T
IS62LV12816L-100T PDF预览

IS62LV12816L-100T

更新时间： 2024-01-07 15:33:16
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI /
页数 文件大小 规格书
9页 87K
描述
128K x 16 CMOS STATIC RAM

阅读下载

中文翻译

获取价格

IS62LV12816L-100T 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2-44针数：44
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.91
最长访问时间：100 ns其他特性：CONFIGURABLE AS 128K X 16
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G44
JESD-609代码：e0长度：18.41 mm
内存密度：2097152 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：44字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：256KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装等效代码：TSOP44,.46,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：240电源：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.000025 A最小待机电流：1.5 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.3 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

IS62LV12816L-100T 数据手册

 浏览型号IS62LV12816L-100T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IS62LV12816L-100T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IS62LV12816L-100T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IS62LV12816L-100T的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IS62LV12816L-100T的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IS62LV12816L-100T的Datasheet PDF文件第8页 
®
ISSI  
IS62LV12816L  
READ CYCLE SWITCHING CHARACTERISTICS(1) (Over Operating Range)  
-70  
-100  
-120  
Symbol  
tRC  
Parameter  
Min. Max.  
Min. Max.  
Min. Max.  
Unit  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Read Cycle Time  
70  
—
10  
—
—
—
5
—
70  
—
70  
35  
25  
—
25  
—
35  
25  
—
100  
—
15  
—
—
—
5
—
100  
—
120  
—
15  
—
—
0
—
120  
—
1
tAA  
Address Access Time  
Output Hold Time  
CE Access Time  
tOHA  
tACE  
2
100  
50  
30  
—
120  
60  
40  
—
tDOE  
OE Access Time  
(2)  
tHZOE  
OE to High-Z Output  
OE to Low-Z Output  
CE to High-Z Output  
CE to Low-Z Output  
LB, UB Access Time  
LB, UB to High-Z Output  
LB, UB to Low-Z Output  
(2)  
3
tLZOE  
5
(2)  
tHZCE  
0
0
30  
—
0
40  
—
(2)  
tLZCE  
10  
—
0
10  
—
0
10  
—
0
4
tBA  
50  
35  
—
60  
50  
—
tHZB  
tLZB  
0
0
0
5
Notes:  
1. Test conditions assume signal transition times of 5 ns or less, timing reference levels of 1.5V, input pulse levels  
of 0.4 to 2.2V and output loading specified in Figure 1.  
2. Tested with the load in Figure 2. Transition is measured ±500 mV from steady-state voltage. Not 100% tested.  
6
7
AC WAVEFORMS  
READ CYCLE NO. 1(1,2) (Address Controlled) (CE = OE = VIL, UB or LB = VIL)  
8
t
RC  
ADDRESS  
9
t
AA  
t
OHA  
t
OHA  
DATA VALID  
DOUT  
PREVIOUS DATA VALID  
10  
11  
12  
Integrated Silicon Solution, Inc.  
ADVANCE INFORMATION SR002-0C  
5
08/20/98  
123456789

中文翻译

下载PDF

与IS62LV12816L-100T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IS62LV12816L-100TI ISSI

获取价格

 		128K x 16 CMOS STATIC RAM
IS62LV12816L-100TI ICSI

获取价格

 		128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62LV12816L-10TI ISSI

获取价格

 		Standard SRAM, 128KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
IS62LV12816L-120B ISSI

获取价格

 		128K x 16 CMOS STATIC RAM
IS62LV12816L-120BI ISSI

获取价格

 		128K x 16 CMOS STATIC RAM
IS62LV12816L-120T ISSI

获取价格

 		128K x 16 CMOS STATIC RAM
IS62LV12816L-120TI ISSI

获取价格

 		128K x 16 CMOS STATIC RAM
IS62LV12816L-55B ICSI

获取价格

 		128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62LV12816L-55B ISSI

获取价格

 		Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, MINI, BGA-48
IS62LV12816L-55BI ICSI

获取价格

 		128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

与IS62LV12816L-100T相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证