是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.92 |
最长访问时间: | 35 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 128KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP32,.56 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 3/3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.00015 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.055 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.85 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS62LV1024-35QI | ISSI |
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Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 | |
IS62LV1024-35T | ETC |
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x8 SRAM | |
IS62LV1024-35TI | ISSI |
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Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, PDSO32, TSOP1-32 | |
IS62LV1024-45Q | ISSI |
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Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 | |
IS62LV1024-45QI | ISSI |
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Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 | |
IS62LV1024-45T | ETC |
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x8 SRAM | |
IS62LV1024-45TI | ISSI |
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Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, PDSO32, TSOP1-32 | |
IS62LV1024-55Q | ISSI |
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Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 | |
IS62LV1024-55QI | ISSI |
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Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 | |
IS62LV1024-55T | ISSI |
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Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, TSOP1-32 |