是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP1 |
包装说明: | TSOP1-32 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.92 |
最长访问时间: | 70 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 18.4 mm | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 128KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP1 | 封装等效代码: | TSSOP32,.8,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
电源: | 3/3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大待机电流: | 0.00015 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.04 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.85 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS62LV1024-70TI | ISSI |
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Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, TSOP1-32 | |
IS62LV1024L | ICSI |
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128K x 8 LOW POWER AND LOW Vcc | |
IS62LV1024L-45B | ICSI |
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128K x 8 LOW POWER AND LOW Vcc | |
IS62LV1024L-45BI | ICSI |
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128K x 8 LOW POWER AND LOW Vcc | |
IS62LV1024L-45H | ICSI |
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128K x 8 LOW POWER AND LOW Vcc | |
IS62LV1024L-45H | ISSI |
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Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32 | |
IS62LV1024L-45HI | ICSI |
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128K x 8 LOW POWER AND LOW Vcc | |
IS62LV1024L-45HI | ISSI |
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Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32 | |
IS62LV1024L-45Q | ICSI |
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128K x 8 LOW POWER AND LOW Vcc | |
IS62LV1024L-45Q | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.450 INCH, PLASTIC, SOP-32 |