Datasheet > IS62LV1024L-55HI

IS62LV1024L-55HI

更新时间： 2024-10-02 21:19:39

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		输入元件静态存储器光电二极管输出元件内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	338K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IS62LV1024L-55HI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	8 X 13.40 MM, STSOP1-32
针数：	32	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	55 ns	其他特性：	TTL COMPATIBLE INPUTS AND OUTPUTS
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
JESD-609代码：	e0	长度：	11.8 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP32,.56,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.00005 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.055 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS62LV1024L-55Q	ICSI	获取价格	128K x 8 LOW POWER AND LOW Vcc
IS62LV1024L-55Q	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 0.450 INCH, PLASTIC, SOP-32
IS62LV1024L-55QI	ICSI	获取价格	128K x 8 LOW POWER AND LOW Vcc
IS62LV1024L-55QI	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 0.450 INCH, PLASTIC, SOP-32
IS62LV1024L-55T	ICSI	获取价格	128K x 8 LOW POWER AND LOW Vcc
IS62LV1024L-55T	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, TSOP1-32
IS62LV1024L-55TI	ICSI	获取价格	128K x 8 LOW POWER AND LOW Vcc
IS62LV1024L-55TI	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, TSOP1-32
IS62LV1024L-55TSI	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, TSSOP-32
IS62LV1024L-70B	ICSI	获取价格	128K x 8 LOW POWER AND LOW Vcc