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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP1 | 包装说明： | TSOP1-32 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 45 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 18.4 mm |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 128KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP1 |
| 封装等效代码： | TSSOP32,.8,20 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 电源： | 3/3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大待机电流： | 0.00003 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.05 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 8 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IS62LV1024L-45TI | ICSI |
获取价格 |
128K x 8 LOW POWER AND LOW Vcc |
|
| IS62LV1024L-45TS | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, PDSO32, TSSOP-32 |
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| IS62LV1024L-45TSI | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, PDSO32, TSSOP-32 |
|
| IS62LV1024L-55B | ICSI |
获取价格 |
128K x 8 LOW POWER AND LOW Vcc |
|
| IS62LV1024L-55BI | ICSI |
获取价格 |
128K x 8 LOW POWER AND LOW Vcc |
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| IS62LV1024L-55H | ICSI |
获取价格 |
128K x 8 LOW POWER AND LOW Vcc |
|
| IS62LV1024L-55H | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32 |
|
| IS62LV1024L-55HI | ICSI |
获取价格 |
128K x 8 LOW POWER AND LOW Vcc |
|
| IS62LV1024L-55HI | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32 |
|
| IS62LV1024L-55Q | ICSI |
获取价格 |
128K x 8 LOW POWER AND LOW Vcc |
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