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IS62LV1024-45Q

更新时间: 2024-10-02 20:19:19
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 618K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32

IS62LV1024-45Q 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32针数:32
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.92
Is Samacsys:N最长访问时间:45 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e0内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP32,.56
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3/3.3 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.00015 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.05 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.85 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

IS62LV1024-45Q 数据手册

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