是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.92 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 70 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 128KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | SOP32,.56 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3/3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.00015 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.05 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.85 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS62LV1024-70T | ISSI |
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Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, TSOP1-32 | |
IS62LV1024-70TI | ISSI |
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Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, TSOP1-32 | |
IS62LV1024L | ICSI |
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128K x 8 LOW POWER AND LOW Vcc | |
IS62LV1024L-45B | ICSI |
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128K x 8 LOW POWER AND LOW Vcc | |
IS62LV1024L-45BI | ICSI |
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128K x 8 LOW POWER AND LOW Vcc | |
IS62LV1024L-45H | ICSI |
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128K x 8 LOW POWER AND LOW Vcc | |
IS62LV1024L-45H | ISSI |
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Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32 | |
IS62LV1024L-45HI | ICSI |
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128K x 8 LOW POWER AND LOW Vcc | |
IS62LV1024L-45HI | ISSI |
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Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32 | |
IS62LV1024L-45Q | ICSI |
获取价格 |
128K x 8 LOW POWER AND LOW Vcc |