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IS61LV6416-20BI

更新时间： 2024-01-02 15:08:36

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其他 - ETC		内存集成电路静态存储器
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x16 SRAM

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IS61LV6416-20BI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	PLASTIC, TSOP-44	针数：	44
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.B
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.82
最长访问时间：	20 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	JESD-609代码：	e0
长度：	18.41 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	44	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	64KX16	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP44,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.015 A
最小待机电流：	3 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.18 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.63 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.97 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

IS61LV6416-20BI 数据手册

ISSI

IS61LV6416

64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

WITH 3.3V SUPPLY

OCTOBER 2000

FEATURES

DESCRIPTION

The ISSI IS61LV6416 is a high-speed, 1,048,576-bit

static RAM organized as 65,536 words by 16 bits. It is

fabricated using ISSI's high-performance CMOS

technology. This highly reliable process coupled with

innovative circuit design techniques, yields access times

as fast as 8 ns with low power consumption.

• High-speed access time: 8, 10, 12, 15, and 20 ns

• CMOS low power operation

— 250 mW (typical) operating

— 250 µW (typical) standby

• TTL compatible interface levels

• Single 3.3V power supply

When CE is HIGH (deselected), the device assumes a

standby mode at which the power dissipation can be

reduced down with CMOS input levels.

• Fully static operation: no clock or refresh

required

• Three state outputs

Easy memory expansion is provided by using Chip

Enable and Output Enable inputs, CE and OE. The active

LOW Write Enable (WE) controls both writing and reading

of the memory.A data byte allows Upper Byte (UB) and

Lower Byte (LB) access.

• Data control for upper and lower bytes

• Industrial temperature available

The IS61LV6416 is packaged in the JEDEC standard

44-pin 400-mil SOJ, 44-pin TSOP, and 48-pin mini BGA

(6mm x 8mm).

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

64K x 16

MEMORY ARRAY

A0-A15

DECODER

VCC

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O

DATA

CIRCUIT

COLUMN I/O

I/O8-I/O15

Upper Byte

CONTROL

CIRCUIT

ISSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the best possible product. We assume no responsibility for any

Integrated Silicon Solution, Inc.

Rev. D

10/20/00

12 3 4 5 6 7...10

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