是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP1 |
包装说明: | 8 X 20 MM, TSOP1-32 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.B |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.58 |
最长访问时间: | 12 ns | 其他特性: | TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 18.4 mm |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 128KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP1 | 封装等效代码: | TSSOP32,.8,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大待机电流: | 0.04 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.22 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 8 mm |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
CY7C1009B-12VCT | CYPRESS |
类似代替 ![]() |
Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0.300 INCH, SOJ-32 |
![]() |
IS61C1024AL-12JI | ISSI |
类似代替 ![]() |
128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
![]() |
IS61C1024-12JI | ISSI |
类似代替 ![]() |
128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
![]() |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS61C1024-12JI | ISSI |
获取价格 |
128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
![]() |
IS61C1024-12JR | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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IS61C1024-12JRI | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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IS61C1024-12K | ISSI |
获取价格 |
128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
![]() |
IS61C1024-12KI | ISSI |
获取价格 |
128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
![]() |
IS61C1024-12KR | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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IS61C1024-12KRI | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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IS61C1024-12MR | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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IS61C1024-12MRI | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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IS61C1024-12N | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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