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IS61C1024-12KI

更新时间： 2024-02-29 05:56:51

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美国芯成 - ISSI		/
页数	文件大小	规格书
11页	83K
描述
128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

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IS61C1024-12KI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP1
包装说明：	8 X 20 MM, TSOP1-32	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.B
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.58
最长访问时间：	12 ns	其他特性：	TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP32,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.04 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.22 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	8 mm

IS61C1024-12KI 数据手册

IS61C1024

ISSI

IS61C1024L

128K x 8 HIGH-SPEED

CMOS STATIC RAM

MAY 1999

DESCRIPTION

FEATURES

The ISSI IS61C1024 and IS61C1024L are very high-speed,

low power, 131,072-word by 8-bit CMOS static RAMs. They

are fabricated using ISSI's high-performance CMOS

technology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovative

circuit design techniques, yields higher performance and low

power consumption devices.

• High-speed access time: 12, 15, 20, 25 ns

• Low active power: 600 mW (typical)

• Low standby power: 500 µW (typical) CMOS

standby

• Output Enable (OE) and two Chip Enable

(CE1 and CE2) inputs for ease in applications

When CE1 is HIGH or CE2 is LOW (deselected), the device

assumes a standby mode at which the power dissipation can

be reduced by using CMOS input levels.

• Fully static operation: no clock or refresh

required

EasymemoryexpansionisprovidedbyusingtwoChipEnable

inputs, CE1 and CE2. The active LOW Write Enable (WE)

controls both writing and reading of the memory.

• TTL compatible inputs and outputs

• Single 5V (±10%) power supply

• Low power version available: IS61C1024L

The IS61C1024 and IS61C1024L are available in 32-pin

300-mil SOJ, and TSOP (Type I, 8x20), and sTSOP (Type I,

8 x 13.4) packages.

• Commercial and industrial temperature ranges

available

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

512 x 2048

MEMORY ARRAY

A0-A16

DECODER

VCC

GND

I/O

DATA

COLUMN I/O

I/O0-I/O7

CIRCUIT

CE1

CE2

CONTROL

CIRCUIT

ISSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the best possible product. We assume no responsibility for any errors which

Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774

SR028-1K

05/12/99

12 3 4 5 6 7...11

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IS61C1024-12KI 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CY7C109BN-12VC	CYPRESS	功能相似	128K x 8 Static RAM
CY7C1019B-12VC	CYPRESS	功能相似	128K x 8 Static RAM
CY7C109B-12VC	CYPRESS	功能相似	128K x 8 Static RAM

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS61C1024-12KR	ETC	获取价格	x8 SRAM
IS61C1024-12KRI	ETC	获取价格	x8 SRAM
IS61C1024-12MR	ETC	获取价格	x8 SRAM
IS61C1024-12MRI	ETC	获取价格	x8 SRAM
IS61C1024-12N	ETC	获取价格	x8 SRAM
IS61C1024-12NI	ETC	获取价格	x8 SRAM
IS61C1024-12NR	ETC	获取价格	x8 SRAM
IS61C1024-12NRI	ETC	获取价格	x8 SRAM
IS61C1024-12T	ISSI	获取价格	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61C1024-12TI	ISSI	获取价格	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

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