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IS49NLS18320-18BLI

更新时间： 2024-02-07 06:49:52

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
34页	570K
描述
DDR DRAM, 32MX18, 1.875ns, CMOS, PBGA144, 11 X 18.50 MM, LEAD FREE, FBGA-144

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IS49NLS18320-18BLI 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TBGA,	针数：	144
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.32	风险等级：	5.66
访问模式：	MULTI BANK PAGE BURST	最长访问时间：	1.875 ns
其他特性：	AUTO REFRESH	JESD-30 代码：	R-PBGA-B144
长度：	18.5 mm	内存密度：	603979776 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	18
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	144	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32MX18	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	11 mm
Base Number Matches：	1

IS49NLS18320-18BLI 数据手册

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IS49NLS96400,IS49NLS18320

576Mb (x9, x18) Separate I/O RLDRAM^2 Memory

ADVANCED INFORMATION

JULY 2012

FEATURES



533MHz DDR operation (1.067 Gb/s/pin data

rate)



Data mask signals (DM) to mask signal of

WRITE data; DM is sampled on both edges of

DK.

Differential input clocks (CK, CK#)

Differential input data clocks (DKx, DKx#)

On‐die DLL generates CK edge‐aligned data and

output data clock signals



38.4 Gb/s peak bandwidth (x18 Separate I/O at

533 MHz clock frequency)



Reduced cycle time (15ns at 533MHz)

32ms refresh (16K refresh for each bank; 128K

refresh command must be issued in total each

32ms)



Data valid signal (QVLD)



8 internal banks

HSTL I/O (1.5V or 1.8V nominal)

25‐60Ω matched impedance outputs

2.5V V_EXT, 1.8V V_DD, 1.5V or 1.8V V_DDQI/O

On‐die termination (ODT) R_TT

IEEE 1149.1 compliant JTAG boundary scan

Operating temperature:

Commercial

(T_C= 0° to +95°C; T_A= 0°C to +70°C),

Industrial

Non‐multiplexed addresses (address

multiplexing option available)

SRAM‐type interface

Programmable READ latency (RL), row cycle

time, and burst sequence length

Balanced READ and WRITE latencies in order to

optimize data bus utilization



(T_C= ‐40°C to +95°C; T_A= ‐40°C to +85°C)

OPTIONS



Package:



144‐ball FBGA (leaded)



144‐ball FBGA (lead‐free)

Configuration:



64Mx9



32Mx18

Clock Cycle Timing:

Speed Grade

‐18

‐25E

‐25

‐33

Unit

t_RC

t_CK

1.875

2.5

3.3

notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the

latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. does not recommend the use of any of its products in life support applications where the failure or malfunction of the product can

reasonably be expected to cause failure of the life support system or to significantly affect its safety or effectiveness. Products are not authorized for use in such

applications unless Integrated Silicon Solution, Inc. receives written assurance to its satisfaction, that:

a.) the risk of injury or damage has been minimized;

b.) the user assume all such risks; and

c.) potential liability of Integrated Silicon Solution, Inc is adequately protected under the circumstances

RLDRAM^is a registered trademark of Micron Technology, Inc.

Integrated Silicon Solution, Inc. – www.issi.com –

Rev. 00E, 06/20/2012

12 3 4 5 6 7...34

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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