是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | TBGA, BGA144,12X18,40/32 |
针数: | 144 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.28 |
Factory Lead Time: | 13 weeks 6 days | 风险等级: | 5.7 |
访问模式: | MULTI BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 2.5 ns |
其他特性: | AUTO REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 400 MHz |
I/O 类型: | SEPARATE | 交错的突发长度: | 2,4,8 |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B144 | 长度: | 18.5 mm |
内存密度: | 301989888 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM |
内存宽度: | 9 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 144 |
字数: | 33554432 words | 字数代码: | 32000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 32MX9 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TBGA | 封装等效代码: | BGA144,12X18,40/32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE |
电源: | 1.5/1.8,1.8,2.5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大待机电流: | 0.048 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.97 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 1 mm |
端子位置: | BOTTOM | 宽度: | 11 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS49NLS93200-25WBLI | ISSI |
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DDR DRAM, 32MX9, CMOS, PBGA144, WFBGA-144 | |
IS49NLS93200-33B | ISSI |
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IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA | |
IS49NLS93200-33BI | ISSI |
获取价格 |
IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA | |
IS49NLS93200-33BL | ISSI |
获取价格 |
IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA | |
IS49NLS93200-33BLI | ISSI |
获取价格 |
IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA | |
IS49NLS93200-33WBLI | ISSI |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX9, CMOS, PBGA144, WFBGA-144 | |
IS49NLS96400 | ISSI |
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576Mb (x9, x18) Separate I/O RLDRAMï 2 Memo | |
IS49NLS96400-18BL | ISSI |
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DDR DRAM, 64MX9, 1.875ns, CMOS, PBGA144, 11 X 18.50 MM, LEAD FREE, FBGA-144 | |
IS49NLS96400A | ISSI |
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8 internal banks | |
IS49NLS96400A-18EBL | ISSI |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX9, CMOS, PBGA144, FBGA-144 |