是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | TBGA, | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 10 weeks |
风险等级: | 5.68 | 访问模式: | MULTI BANK PAGE BURST |
其他特性: | AUTO REFRESH | JESD-30 代码: | R-PBGA-B144 |
长度: | 18.5 mm | 内存密度: | 603979776 bit |
内存集成电路类型: | DDR DRAM | 内存宽度: | 18 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 144 | 字数: | 33554432 words |
字数代码: | 32000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
组织: | 32MX18 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TBGA | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 1 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 11 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS49NLS93200 | ISSI |
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288Mb (x9, x18) Separate I/O RLDRAM 2 Memory | |
IS49NLS93200-25B | ISSI |
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IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA | |
IS49NLS93200-25BI | ISSI |
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IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA | |
IS49NLS93200-25BL | ISSI |
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IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA | |
IS49NLS93200-25BLI | ISSI |
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IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA | |
IS49NLS93200-25WBLI | ISSI |
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DDR DRAM, 32MX9, CMOS, PBGA144, WFBGA-144 | |
IS49NLS93200-33B | ISSI |
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IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA | |
IS49NLS93200-33BI | ISSI |
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IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA | |
IS49NLS93200-33BL | ISSI |
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IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA | |
IS49NLS93200-33BLI | ISSI |
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IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA |