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IS49RL18320-125FBL

更新时间： 2024-09-23 21:19:31

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
115页	3759K
描述
DDR DRAM, 32MX18, CMOS, PBGA168, 13.50 X 13.50 MM, 1.25 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-205, FCBGA-168

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IS49RL18320-125FBL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	LBGA,	Reach Compliance Code：	compliant
Factory Lead Time：	12 weeks	风险等级：	5.65
访问模式：	MULTI BANK PAGE BURST	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	S-PBGA-B168	长度：	13.5 mm
内存密度：	603979776 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	18	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	168
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	组织：	32MX18
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LBGA
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE
座面最大高度：	1.25 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	1.42 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.28 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.35 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	13.5 mm	Base Number Matches：	1

IS49RL18320-125FBL 数据手册

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576Mb: x18, x36 RLDRAM 3

Features

RLDRAM 3

IS49RL18320– 2 Meg x 18 x 16 Banks

IS49RL36160– 1 Meg x 36 x 16 Banks

Options

Features

• Clock cycle and ^tRC timing

– 0.93ns and ^tRC (MIN) = 8ns

(RL3-2133)

• 1066 MHz DDR operation (2133 Mb/s/ball data

rate)

• 76.8 Gb/s peak bandwidth (x36 at 1066 MHz clock

frequency)

• Organization

– 32 Meg x 18, and 16 Meg x 36 common I/O (CIO)

– 16 banks

• 1.2V center-terminated push/pull I/O

– 0.93ns and ^tRC (MIN) = 10ns

(RL3-2133)

– 1.07ns and ^tRC (MIN) = 8ns

(RL3-1866)

– 1.07ns and ^tRC (MIN) = 10ns

(RL3-1866)

• 2.5V V _EXT, 1.35V V _DD, 1.2V V

I/O

– 1.25ns and ^tRC (MIN) = 8ns

(RL3-1600)

DDQ

• Reduced cycle time (^tRC (MIN) = 8 - 12ns)

• SDR addressing

• Programmable READ/WRITE latency (RL/WL) and

burst length

• Data mask for WRITE commands

– 1.25ns and ^tRC (MIN) = 10ns

(RL3-1600)

– 1.25ns and ^tRC (MIN) = 12ns

(RL3-1600)

•

Conꢀguration

-32 Meg x 18

- 16 Meg x 36

Operating Temperature

– Commercial (T_C= 0° to +95°C)

– Industrial (T_C= –40°C to +95°C)

Package

• Fr

DK x#) and output data clocks (QK x, QK x#)

• On-die DLL generates CK edge-aligned data and

• 64ms refresh (128K refresh per 64ms)

• 168-ball FBGA package

•

Ω or 60 Ω matched impedance outputs

– 168-ball FBGA

– 168-ball FBGA (Pb-free)

• Revision

• Integrated on-die termination (ODT)

• Single or multibank writes

• Extended operating range (200–1066 MHz)

• READ training register

• Multiplexed and non-multiplexed addressing capa-

bilities

• Mirror function

• Output driver and ODT calibration

• JTAG interface (IEEE 1149.1-2001)

no ce. ISSI assumes no liability arising out of the applica on or use of any informa on, products or services described herein. Customers are advised to obtain the

latest version of this device speciﬁca on before relying on any published informa on and before placing orders for produs.ct

Integrated Silicon Solu on, Inc. does not recommend the use of any of its products in life support applica ons where the failure or malfunc on of the product can

reasonably be expected to cause failure of the life support system or to signiﬁcantly aﬀect its safety or eﬀec veness. Products are not authorized for use in such

applica ons unless Integrated Silicon Solu on, Inc. receives wri en assurance to its sa sfac on, that:

a.) the risk of injury or damage has been minimized;

b.) the user assume all such risks; and

c.) poten al liability of Integrated Silicon Solu on, Inc is adequately protected under the circumstances

RLDRAM® is a registered trademark of Micron Technology, Inc.

Integrated Silicon Solution, Inc. – www.issi.com –

Rev. 00B, 2/21/2013

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IS49RL36160-093BL	ISSI	获取价格	1066 MHz DDR operation (2133 Mb/s/ball datarate)
IS49RL36160-093BLI	ISSI	获取价格	1066 MHz DDR operation (2133 Mb/s/ball datarate)
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