是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | TFBGA, | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 2.14 |
访问模式: | MULTI BANK PAGE BURST | 其他特性: | PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B96 | JESD-609代码: | e1 |
长度: | 13 mm | 内存密度: | 2147483648 bit |
内存集成电路类型: | DDR DRAM | 内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 96 |
字数: | 134217728 words | 字数代码: | 128000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 128MX16 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TFBGA |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 座面最大高度: | 1.2 mm |
自我刷新: | YES | 最大供电电压 (Vsup): | 1.575 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.425 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 |
宽度: | 9 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS43TR16128C-125KBLI-TR | ISSI |
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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA | |
IS43TR16128C-125KBL-TR | ISSI |
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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA | |
IS43TR16128C-15HBL | ISSI |
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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA | |
IS43TR16128C-15HBLI | ISSI |
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DDR DRAM, 128MX16, CMOS, PBGA96, FBGA-96 | |
IS43TR16128C-15HBLI-TR | ISSI |
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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA | |
IS43TR16128C-15HBL-TR | ISSI |
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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA | |
IS43TR16128CL | ISSI |
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Programmable CAS Latency | |
IS43TR16128CL-125KBLI | ISSI |
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DDR DRAM, 128MX16, CMOS, PBGA96, FBGA-96 | |
IS43TR16128CL-125KBLI-TR | ISSI |
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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA | |
IS43TR16128CL-125KBL-TR | ISSI |
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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA |