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IS43R16160A-5TL

更新时间： 2024-11-18 04:23:03

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美国芯成 - ISSI		存储内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率时钟
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16Meg x 16 256-MBIT DDR SDRAM

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IS43R16160A-5TL 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSSOP, TSSOP66,.46	针数：	66
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.66
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.65 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	200 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G66	JESD-609代码：	e3
长度：	22.22 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	66
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP66,.46
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	2,4,8	最大待机电流：	0.03 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.4 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.6 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

IS43R16160A-5TL 数据手册

IS43R16160A

ISSI

PRELIMINARY INFORMATION

NOVEMBER 2005

16Meg x 16

256-MBIT DDR SDRAM

FEATURES

DEVICE OVERVIEW

• Clock Frequency: 200, 166 MHz

ISSI’s 256-Mbit DDR SDRAM achieves high-speed data

transfer using pipeline architecture and two data word

accesses per clock cycle. The 268,435,456-bit memory

array is internally organized as four banks of 64M-bit to

allowconcurrentoperations. ThepipelineallowsRead

and Write burst accesses to be virtually continuous, with

the option to concatenate or truncate the bursts. The

programmable features of burst length, burst sequence

and CAS latency enable further advantages. The device

is available in 16-bit data word size. Input data is regis-

tered on the I/O pins on both edges of Data Strobe

signal(s), while output data is referenced to both edges of

Data Strobe and both edges of CK. Commands are

registered on the positive edges of CK. Auto Refresh,

Active Power Down, and Pre-charge Power Down modes

are enabled by using clock enable (CKE) and other

inputs in an industry-standard sequence. All input and

output voltage levels are compatible with SSTL 2.

• Power supply (VDD and VDDQ)

DDR 333: 2.5V + 0.2V

DDR 400: 2.6V + 0.1V

• SSTL 2 interface

• Four internal banks to hide row Pre-charge

and Active operations

• Commands and addresses register on positive

clock edges (CK)

• Bi-directional Data Strobe signal for data cap-

ture

• Differential clock inputs (CK and CK) for

two data accesses per clock cycle

• Data Mask feature for Writes supported

• DLL aligns data I/O and Data Strobe transitions

with clock inputs

• Half-strength and Full-strength drive strength

options

KEY TIMING PARAMETERS

Parameter

-5

-6

Unit

• Programmable burst length for Read and Write

operations

DDR400

DDR333

Clock Cycle Time

CAS Latency = 3

CAS Latency = 2.5

CAS Latency = 2

• Programmable CAS Latency (2, 2.5, or 3

clocks)

7.5

• Programmable burst sequence: sequential or

interleaved

Clock Frequency

CAS Latency = 3

CAS Latency = 2.5

CAS Latency = 2

• Burst concatenation and truncation supported

for maximum data throughput

• Auto Pre-charge option for each Read or Write

burst

200

166

133

166

133

MHz

• 8192 refresh cycles every 64ms

• Auto Refresh and Self Refresh Modes

• Pre-charge Power Down and Active Power

Down Modes

• Lead-free available

without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to

obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774

Rev. 00B

11/28/05

12 3 4 5 6 7...56

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS43R16160A-6T	ISSI	获取价格	16Meg x 16 256-MBIT DDR SDRAM
IS43R16160A-6TL	ISSI	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE,
IS43R16160A-75T	ISSI	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
IS43R16160B	ISSI	获取价格	32Mx8, 16Mx16 256Mb DDR Synchronous DRAM
IS43R16160B-5BI	ISSI	获取价格	32Mx8, 16Mx16 256Mb DDR Synchronous DRAM
IS43R16160B-5BL	ISSI	获取价格	32Mx8, 16Mx16 256Mb DDR Synchronous DRAM
IS43R16160B-5BLI	ISSI	获取价格	32Mx8, 16Mx16 256Mb DDR Synchronous DRAM
IS43R16160B-5T	ISSI	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, PLASTIC, TSOP2-66
IS43R16160B-5TI	ISSI	获取价格	32Mx8, 16Mx16 256Mb DDR Synchronous DRAM
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