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IS42VS16100F-75BLI

更新时间： 2024-11-13 19:39:27

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
86页	1568K
描述
Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, 10.10 X 6.40 MM, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-60

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IS42VS16100F-75BLI 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA, BGA60,7X15,25	针数：	60
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.27
访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	143 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B60	JESD-609代码：	e1
长度：	10.1 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	60
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	1MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA60,7X15,25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	2048
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.0003 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	6.4 mm
Base Number Matches：	1

IS42VS16100F-75BLI 数据手册

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IS42/45S16100F, IS42VS16100F

512K Words x 16 Bits x 2 Banks

16Mb SDRAM

JUNE 2012

FEATURES

DESCRIPTION

•ꢀ Clockꢀfrequency:ꢀ

ISSI’sꢀ16MbꢀSynchronousꢀDRAMꢀIS42S16100F,ꢀ

IS45S16100FꢀandꢀIS42VS16100Fꢀareꢀeachꢀorganizedꢀ

asꢀaꢀ524,288-wordꢀxꢀ16-bitꢀxꢀ2-bankꢀforꢀimprovedꢀ

performance.ꢀTheꢀsynchronousꢀDRAMsꢀachieveꢀhigh-

speedꢀdataꢀtransferꢀusingꢀpipelineꢀarchitecture.ꢀAllꢀ

inputsꢀandꢀoutputsꢀsignalsꢀreferꢀtoꢀtheꢀrisingꢀedgeꢀofꢀtheꢀ

clockꢀinput.

ꢀ IS42/45S16100F:ꢀ200,ꢀ166,ꢀ143ꢀMHzꢀ

IS42VS16100F:ꢀ133,ꢀ100ꢀMHz

•ꢀ Fullyꢀsynchronous;ꢀallꢀsignalsꢀreferencedꢀtoꢀaꢀ

positiveꢀclockꢀedge

•ꢀ Twoꢀbanksꢀcanꢀbeꢀoperatedꢀsimultaneouslyꢀandꢀ

independently

ADDRESS TABLE

Parameter

•ꢀ DualꢀinternalꢀbankꢀcontrolledꢀbyꢀA11ꢀꢀ

(bankꢀselect)

IS42/45S16100F IS42VS16100F

PowerꢀSupplyꢀV^dd/Vddq

RefreshꢀCount

3.3V

1.8V

•ꢀ Singleꢀpowerꢀsupply:ꢀ

2K/32ms

IS42/45S16100F:ꢀV^dd/Vddqꢀ=ꢀ3.3V

IS42VS16100F:ꢀV^dd/Vddqꢀ=ꢀ1.8V

RowꢀꢀAddressing

ColumnꢀAddressing

BankꢀAddressing

PrechargeꢀAddressing

A0-A10

A0-A7

A11

•ꢀ LVTTLꢀinterface

•ꢀ Programmableꢀburstꢀlengthꢀꢀ

–ꢀ(1,ꢀ2,ꢀ4,ꢀ8,ꢀfullꢀpage)

A10

•ꢀ Programmableꢀburstꢀsequence:ꢀꢀ

Sequential/Interleave

KEY TIMING PARAMETERS

•ꢀ 2048ꢀrefreshꢀcyclesꢀeveryꢀ32ꢀms

Parameter

-5⁽¹⁾

-6⁽²⁾-7 ⁽²⁾-75 ⁽³⁾-10 ⁽³⁾Unit

•ꢀ Randomꢀcolumnꢀaddressꢀeveryꢀclockꢀcycle

•ꢀ ProgrammableꢀCASꢀlatencyꢀ(2,ꢀ3ꢀclocks)

CLK Cycle Time

CAS Latency = 3

CAS Latency = 2

CLK Frequency

CAS Latency = 3

CAS Latency = 2

7.5

•ꢀ Burstꢀread/writeꢀandꢀburstꢀread/singleꢀwriteꢀꢀ

operationsꢀcapability

•ꢀ Burstꢀterminationꢀbyꢀburstꢀstopꢀandꢀꢀ

prechargeꢀcommand

200 166 143

100 100 100

133

100

100 Mhz

Mhz

•ꢀ ByteꢀcontrolledꢀbyꢀLDQMꢀandꢀUDQM

Access Time from

Clock

•ꢀ Packagesꢀ400-milꢀ50-pinꢀTSOP-IIꢀandꢀ60-ballꢀ

BGA

CAS Latency = 3

CAS Latency = 2

5.5

•ꢀ Lead-freeꢀpackageꢀoption

•ꢀ AvailableꢀinꢀIndustrialꢀꢀTemperature

Notes:

1. Available for IS42S16100F only

2. Available for IS42S16100F and IS45S16100F only

3. Available for IS42VS16100F only

notice.ꢀꢀꢀISSIꢀassumesꢀnoꢀliabilityꢀarisingꢀoutꢀofꢀtheꢀapplicationꢀorꢀuseꢀofꢀanyꢀinformation,ꢀproductsꢀorꢀservicesꢀdescribedꢀherein.ꢀCustomersꢀareꢀadvisedꢀtoꢀobtainꢀtheꢀ

latestꢀversionꢀofꢀthisꢀdeviceꢀspeciﬁcationꢀbeforeꢀrelyingꢀonꢀanyꢀpublishedꢀinformationꢀandꢀbeforeꢀplacingꢀordersꢀforꢀproducts.ꢀ

IntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀdoesꢀnotꢀrecommendꢀtheꢀuseꢀofꢀanyꢀofꢀitsꢀproductsꢀinꢀlifeꢀsupportꢀapplicationsꢀwhereꢀtheꢀfailureꢀorꢀmalfunctionꢀofꢀtheꢀproductꢀcanꢀreason-

ablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀcauseꢀfailureꢀofꢀtheꢀlifeꢀsupportꢀsystemꢀorꢀtoꢀsigniﬁcantlyꢀaffectꢀitsꢀsafetyꢀorꢀeffectiveness.ꢀProductsꢀareꢀnotꢀauthorizedꢀforꢀuseꢀinꢀsuchꢀapplicationsꢀ

unlessꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀreceivesꢀwrittenꢀassuranceꢀtoꢀitsꢀsatisfaction,ꢀthat:

a.)ꢀtheꢀriskꢀofꢀinjuryꢀorꢀdamageꢀhasꢀbeenꢀminimized;

b.)ꢀtheꢀuserꢀassumeꢀallꢀsuchꢀrisks;ꢀand

c.)ꢀpotentialꢀliabilityꢀofꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀIncꢀisꢀadequatelyꢀprotectedꢀunderꢀtheꢀcircumstances

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com ꢀ

Rev. A

06/13/2012

12 3 4 5 6 7...86

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与IS42VS16100F-75BLI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS42VS16100F-75TLI	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-50
IS42VS16160D	ISSI	获取价格	Random column address every clock cycle
IS42VS16160D-75BL	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 13 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MS-207
IS42VS16160D-75BLI	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 13 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MS-207
IS42VS16160D-8BLI	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 13 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MS-207,
IS42VS16160J	ISSI	获取价格	32Mx8, 16Mx16, 8Mx32 256Mb Synchronous DRAM
IS42VS16160J-75TLI	ISSI	获取价格	IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP2
IS42VS16400C1	ISSI	获取价格	1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42VS16400C1-10T	ISSI	获取价格	1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42VS16400C1-10TL	ISSI	获取价格	1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

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