5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IS42S32400F-7BLI
IS42S32400F-7BLI PDF预览

IS42S32400F-7BLI

更新时间： 2024-11-24 22:58:51
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 时钟动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
60页 852K
描述
IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

阅读下载

中文翻译

获取价格

IS42S32400F-7BLI 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：DSBGA包装说明：TFBGA, BGA90,9X15,32
针数：90Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
Factory Lead Time：6 weeks风险等级：5.17
访问模式：FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间：5.4 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK)：143 MHz
I/O 类型：COMMON交错的突发长度：1,2,4,8
JESD-30 代码：R-PBGA-B90JESD-609代码：e1
长度：13 mm内存密度：134217728 bit
内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM内存宽度：32
功能数量：1端口数量：1
端子数量：90字数：4194304 words
字数代码：4000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：4MX32输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装等效代码：BGA90,9X15,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：4096
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：YES
连续突发长度：1,2,4,8,FP最大待机电流：0.002 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
宽度：8 mmBase Number Matches：1

IS42S32400F-7BLI 数据手册

 浏览型号IS42S32400F-7BLI的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IS42S32400F-7BLI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IS42S32400F-7BLI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IS42S32400F-7BLI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IS42S32400F-7BLI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IS42S32400F-7BLI的Datasheet PDF文件第7页 
IS42S32400F  
IS45S32400F  
4M x 32  
128Mb SYNCHRONOUS DRAM  
NOVEMBER 2015  
OVERVIEW  
FEATURES  
ISSI'sꢀ128MbꢀSynchronousꢀDRAMꢀꢀachievesꢀhigh-speedꢀ  
data transfer using pipeline architecture. All inputs and  
outputs signals refer to the rising edge of the clock input.  
Theꢀ128MbꢀSDRAMꢀisꢀorganizedꢀinꢀ1Megꢀxꢀ32ꢀbitꢀxꢀ4ꢀ  
Banks.ꢀ  
•ꢀ Clockꢀfrequency:ꢀ166,ꢀ143,ꢀ133ꢀMHz  
•ꢀ Fullyꢀsynchronous;ꢀallꢀsignalsꢀreferencedꢀtoꢀaꢀ  
positive clock edge  
•ꢀ Internalꢀbankꢀforꢀhidingꢀrowꢀaccess/precharge  
•ꢀ SingleꢀPowerꢀsupply:ꢀ3.3Vꢀ+ꢀ0.3V  
•ꢀ LVTTLꢀinterface  
KEY TIMING PARAMETERS  
•ꢀ Programmableꢀburstꢀlengthꢀ  
–ꢀ(1,ꢀ2,ꢀ4,ꢀ8,ꢀfullꢀpage)  
Parameter  
-6  
-7  
-75E Unit  
ClkꢀCycleꢀTimeꢀ  
CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ  
CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ  
ꢀꢀ  
6ꢀ  
10ꢀ  
ꢀ
7ꢀ  
10ꢀ  
ꢀ
ꢀ
–ꢀ  
7.5ꢀ  
nsꢀ  
ns  
•ꢀ Programmableꢀburstꢀsequence:ꢀ  
Sequential/Interleave  
ClkꢀFrequencyꢀ  
CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ  
CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ  
ꢀꢀ  
166ꢀ  
100ꢀ  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
•ꢀ AutoꢀRefreshꢀ(CBR)  
•ꢀ SelfꢀRefresh  
143ꢀ  
100ꢀ  
–ꢀ  
133ꢀ  
Mhzꢀ  
Mhz  
AccessꢀTimeꢀꢀfromꢀClockꢀ  
CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ  
CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
–ꢀ  
5.5ꢀ  
ꢀ
•ꢀ 4096ꢀrefreshꢀcyclesꢀeveryꢀ16msꢀ(A2ꢀgrade)ꢀorꢀ  
64ꢀmsꢀ(Commercial,ꢀIndustrial,ꢀA1ꢀgrade)  
5.4ꢀ  
6.5ꢀ  
5.4ꢀ  
6.5ꢀ  
nsꢀ  
ns  
•ꢀ Randomꢀcolumnꢀaddressꢀeveryꢀclockꢀcycle  
•ꢀ ProgrammableꢀCASꢀlatencyꢀ(2,ꢀ3ꢀclocks)  
•ꢀ Burstꢀread/writeꢀandꢀburstꢀread/singleꢀwriteꢀ  
ADDRESS TABLE  
Parameter  
operations capability  
4M x 32  
•ꢀ Burstꢀterminationꢀbyꢀburstꢀstopꢀandꢀprechargeꢀ  
command  
Configuration  
1Mꢀxꢀ32ꢀxꢀ4ꢀbanks  
Com./Ind. 4Kꢀ/ꢀ64ms  
RefreshꢀCount  
OPTIONS  
A1  
A2  
4Kꢀ/ꢀ64ms  
4Kꢀ/ꢀ16ms  
A0 – A11  
A0 – A7  
•ꢀ Package:ꢀ  
86-pinꢀTSOP-IIꢀ  
90-ballꢀTF-BGA  
RowꢀAddresses  
•ꢀ OperatingꢀTemperatureꢀRange:  
Commercial (0oC to +70oC)  
Column  
Addresses  
Industrialꢀ(-40oC to +85oC)  
BankꢀAddressꢀ  
Pins  
BA0,ꢀBA1  
AutomotiveꢀGrade,ꢀA1ꢀ(-40oC to +85oC)  
AutomotiveꢀGrade,ꢀA2ꢀ(-40oC to +105oC)  
Autoprecharge  
Pins  
A10/AP  
Copyright © 2015 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time with-  
out notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain  
the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.  
Integrated Silicon Solution, Inc. does not recommend the use of any of its products in life support applications where the failure or malfunction of the product can  
reasonably be expected to cause failure of the life support system or to significantly affect its safety or effectiveness. Products are not authorized for use in such ap-  
plications unless Integrated Silicon Solution, Inc. receives written assurance to its satisfaction, that:  
a.) the risk of injury or damage has been minimized;  
b.) the user assume all such risks; and  
c.) potential liability of Integrated Silicon Solution, Inc is adequately protected under the circumstances  
Integrated Silicon Solution, Inc. - www.issi.com  
Rev. D  
1
10/28/2015  
1234567...60

中文翻译

下载PDF

IS42S32400F-7BLI 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IS42S32400F-6BLI ISSI

类似代替

 IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA
IS42S32400F-6BL ISSI

类似代替

 IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA
IS42S32400E-7BLI ISSI

类似代替

 4M x 32 128Mb SYNCHRONOUS DRAM

与IS42S32400F-7BLI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IS42S32400F-7BLI-TR ISSI

获取价格

 		IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA
IS42S32400F-7BL-TR ISSI

获取价格

 		IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA
IS42S32400F-7B-TR ISSI

获取价格

 		IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA
IS42S32400F-7TL ISSI

获取价格

 		Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PDSO86, 400 MIL, LEAD FREE, TSOP2-86
IS42S32400F-7TLI ISSI

获取价格

 		IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II
IS42S32400F-7TLI-TR ISSI

获取价格

 		IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II
IS42S32400F-7TL-TR ISSI

获取价格

 		IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II
IS42S32400L-10B ISSI

获取价格

 		Synchronous DRAM, 4MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, BGA-90
IS42S32400L-10TI ISSI

获取价格

 		Synchronous DRAM, 4MX32, 7ns, CMOS, PDSO86, TSOP2-86
IS42S32400L-7B ISSI

获取价格

 		Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, BGA-90

与IS42S32400F-7BLI相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证