是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | VFBGA, BGA54,9X9,32 |
针数: | 54 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.02 |
风险等级: | 5.61 | Is Samacsys: | N |
访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 5.4 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 166 MHz |
I/O 类型: | COMMON | 交错的突发长度: | 1,2,4,8 |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B54 | JESD-609代码: | e1 |
长度: | 13 mm | 内存密度: | 134217728 bit |
内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 54 |
字数: | 8388608 words | 字数代码: | 8000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 8MX16 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | VFBGA | 封装等效代码: | BGA54,9X9,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 4096 |
座面最大高度: | 1 mm | 自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 1,2,4,8,FP | 最大待机电流: | 0.001 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.18 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 宽度: | 8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS42S16800D-6T | ISSI |
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16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM | |
IS42S16800D-6TL | ISSI |
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16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM | |
IS42S16800D-6TLI | ISSI |
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16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM | |
IS42S16800D-75EBL | ISSI |
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16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM | |
IS42S16800D-75EBLI | ISSI |
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16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM | |
IS42S16800D-75ETL | ISSI |
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16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM | |
IS42S16800D-75ETLI | ISSI |
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16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM | |
IS42S16800D-7B | ISSI |
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16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM | |
IS42S16800D-7BI | ISSI |
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16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM | |
IS42S16800D-7BL | ISSI |
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16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |