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IS42S16800D-75EBL

更新时间： 2024-11-24 05:39:31

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		存储内存集成电路动态存储器时钟
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描述
16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

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IS42S16800D-75EBL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA, BGA54,9X9,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.64	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B54	JESD-609代码：	e1
长度：	13 mm	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	8MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装等效代码：	BGA54,9X9,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

IS42S16800D-75EBL 数据手册

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IS42S81600D

IS42S16800D

16Meg x 8, 8Meg x16

128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

JULY 2008

OVERVIEW

FEATURES

ISSI's 128Mb Synchronous DRAM achieves high-speed

data transfer using pipeline architecture. All inputs and

outputs signals refer to the rising edge of the clock

input.The 128Mb SDRAM is organized as follows.

• Clock frequency: 166, 143, 133 MHz

• Fully synchronous; all signals referenced to a

positive clock edge

• Internal bank for hiding row access/precharge

• Power supply

V^DD

3.3V 3.3V

VDDQ

IS42S81600D

4M x8x4 Banks

54-pin TSOPII

IS42S16800D

2M x16x4 Banks

54-pin TSOPII

54-ballBGA

IS42S81600D

IS42S16800D

3.3V 3.3V

• LVTTL interface

• Programmable burst length

– (1, 2, 4, 8, full page)

• Programmable burst sequence:

Sequential/Interleave

• Auto Refresh (CBR)

KEY TIMING PARAMETERS

• Self Refresh with programmable refresh periods

• 4096 refresh cycles every 64 ms

Parameter

-6

-7

-75E Unit

• Random column address every clock cycle

• Programmable CAS latency (2, 3 clocks)

Clk Cycle Time

CAS Latency = 3

CAS Latency = 2

—

7.5

• Burst read/write and burst read/single write

operations capability

Clk Frequency

CAS Latency = 3

CAS Latency = 2

166

125

143

100

—

133

Mhz

• Burst termination by burst stop and precharge

command

Access Time from Clock

CAS Latency = 3

CAS Latency = 2

• Industrial Temperature Availability

• Lead-freeAvailability

5.4

6.5

5.4

6.5

—

6.5

time without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are

advised to obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com

Rev. E

07/28/08

12 3 4 5 6 7...62

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