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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | TFBGA, BGA54,9X9,32 | 针数： | 54 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.13 |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 5.4 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK)： | 166 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 1,2,4,8 |
| JESD-30 代码： | S-PBGA-B54 | JESD-609代码： | e1 |
| 长度： | 8 mm | 内存密度： | 134217728 bit |
| 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度： | 16 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 54 |
| 字数： | 8388608 words | 字数代码： | 8000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 8MX16 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TFBGA | 封装等效代码： | BGA54,9X9,32 |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 4096 |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 自我刷新： | YES |
| 连续突发长度： | 1,2,4,8,FP | 最大待机电流： | 0.002 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.18 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 宽度： | 8 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IS42S16800F-6BLI | ISSI |
类似代替  |
IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA |
|
| IS45S16800F-7BLA2 | ISSI |
类似代替 |
Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-54 |
|
| IS42S16800E-6BL | ISSI |
类似代替 |
16M x 8, 8M x16 128Mb SYNCHRONOUS DRAM |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IS42S16800E-6BLI-TR | ISSI |
获取价格 |
IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA |
|
| IS42S16800E-6TL | ISSI |
获取价格 |
16M x 8, 8M x16 128Mb SYNCHRONOUS DRAM |
|
| IS42S16800E-6TLI | ISSI |
获取价格 |
16M x 8, 8M x16 128Mb SYNCHRONOUS DRAM |
|
| IS42S16800E-6TLI-TR | ISSI |
获取价格 |
IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP |
|
| IS42S16800E-75EBL | ISSI |
获取价格 |
16M x 8, 8M x16 128Mb SYNCHRONOUS DRAM |
|
| IS42S16800E-75EBLI | ISSI |
获取价格 |
16M x 8, 8M x16 128Mb SYNCHRONOUS DRAM |
|
| IS42S16800E-75EBLI-TR | ISSI |
获取价格 |
IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA |
|
| IS42S16800E-75EBL-TR | ISSI |
获取价格 |
IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA |
|
| IS42S16800E-75ET | ISSI |
获取价格 |
16M x 8, 8M x16 128Mb SYNCHRONOUS DRAM |
|
| IS42S16800E-75ETL | ISSI |
获取价格 |
16M x 8, 8M x16 128Mb SYNCHRONOUS DRAM |
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