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IS41C16257A-35K-TR

更新时间： 2024-09-30 14:51:39
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 131K
描述
Fast Page DRAM, 256KX16, 35ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40

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IS41C16257A-35K-TR 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOJ
包装说明：SOJ,针数：40
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.81
Is Samacsys：N访问模式：FAST PAGE
最长访问时间：35 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码：R-PDSO-J40JESD-609代码：e0
长度：26.035 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM内存宽度：16
湿度敏感等级：3功能数量：1
端口数量：1端子数量：40
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：256KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.75 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

IS41C16257A-35K-TR 数据手册

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®
IS41C16257A  
IS41LV16257A  
ISSI  
APRIL 2005  
256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM  
WITH FAST PAGE MODE  
DESCRIPTION  
FEATURES  
The ISSI IS41C16257A and the IS41LV16257A are  
262,144 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic  
Random Access Memories. Fast Page Mode allows  
512 random accesses within a single row with access  
cycle time as short as 12 ns per 16-bit word. The Byte  
Write control, of upper and lower byte, makes these  
devices ideal for use in 16- and 32-bit wide data bus  
systems.  
• Fast access and cycle time  
• TTL compatible inputs and outputs  
• Refresh Interval: 512 cycles/8 ms  
•
RefreshMode:RAS-Only, CAS-before-RAS(CBR),  
and Hidden  
• JEDEC standard pinout  
• Single power supply:  
These features make the IS41C16257A and the  
IS41LV16257A ideally suited for high band-width  
graphics,digitalsignalprocessing,high-performance  
computing systems, and peripheral applications.  
-- 5V ± 10% (IS41C16257A)  
-- 3.3V ± 10% (IS41LV16257A)  
• Byte Write and Byte Read operation via two CAS  
The IS41C16257A and the IS41LV16257A are  
packagedina40-pin,400-milSOJandTSOP(TypeII).  
• Lead-free available  
KEY TIMING PARAMETERS  
Parameter  
-35  
35  
11  
18  
14  
60  
-60  
60  
Unit  
ns  
Max. RAS Access Time (tRAC)  
Max. CAS Access Time (tCAC)  
Max. Column Address Access Time (tAA)  
Min. Fast Page Mode Cycle Time (tPC)  
Min. Read/Write Cycle Time (tRC)  
15  
ns  
30  
ns  
25  
ns  
110  
ns  
Copyright © 2005 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time  
without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to  
obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.  
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774  
Rev. B  
1
04/22/05  
1234567...20

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与IS41C16257A-35K-TR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IS41C16257A-35T ISSI

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 		Fast Page DRAM, 256KX16, 35ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-40
IS41C16257A-60K-TR ISSI

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 		Fast Page DRAM, 256KX16, 60ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40
IS41C16257C ISSI

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 		4Mb DRAM WITH FAST PAGE MODE
IS41C16257C-35TLI-TR ISSI

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 		Fast Page DRAM, 256KX16, 35ns, CMOS, PDSO40,
IS41C1664-30T ICSI

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 		1Meg x 4 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41C4100-60JI ISSI

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 		1Meg x 4 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

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